技术编号:7050583
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种区域光子晶体发光二极管结构,该发光二极管结构自下而上依次包括衬底、n型GaN层、量子阱发光层、p型GaN层、透明导电层,在n型GaN层上设置n型电极,在透明导电层上设置p型电极。其中,反射光子晶体结构制作在p电极下面,透射光子晶体结构制作在p电极附近。通过本发明的在金属电极附近刻蚀形成的区域性光子晶体结构,能有效降低外延层的欧姆接触电阻,并进一步降低全区域刻蚀对有源区造成的损伤,使光子晶体的导光作用更为显著。本发明所提供该结构还能将射向金属电...
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