技术编号：7050677
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。提供了一种。实现半导体器件的性能的提高。在一种中，在n型半导体衬底中形成作为p型半导体区域的p型井，p型半导体区域形成光电二极管的部分，并且形成转移晶体管的栅极电极。然后在形成作为n型半导体区域的n型井之后向半导体衬底施加微波以加热半导体衬底，n型半导体区域形成光电二极管的另一部分。随后形成转移晶体管的漏极区域。专利说明[0001]有关申请的交叉引用[0002]包括说明书、说明书附图和说明书摘要、于2013年6月12日提交的日本专利申请第2013-1236...
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