技术编号:7050683
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种环栅MOSFET结构太赫兹信号传感器。环栅MOSFET结构的栅极弯曲围绕源极形成环状,漏极分布在外围。相比传统的直栅MOSFET结构,环栅结构缩小了源极面积,减小了源端寄生电容。在探测太赫兹波段时,环栅MOSFET结构比等效的直栅MOSFET结构能得到更大的电压响应RV和更小的噪声等效功率NEP。专利说明-种基于环栅MOSFET结构的太赫兹传感器 [0001] 本发明涉及一种MOSFET太赫兹信号传感器,尤其是涉及一种环栅MOSFET结...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。