技术编号：7050742
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是一种，该方法包括以下步骤1）在SiC晶片背面蒸发或者溅射一层金属，退火后形成欧姆接触；2）在背面欧姆接触上蒸发或者溅射一层阻挡金属；3）在SiC晶片正面涂一层树脂，烘箱高温烘烤固化树脂；4）SiC晶片正面涂胶保护，湿法HF腐蚀，清洗甩干；5）在SiC晶片背面沉淀加厚金属；6）去胶划片，芯片烧结到载体上后做剪切力评估。优点解决了碳化硅功率器件经过高温处理以后，背面金属不牢的问题，通过在背面欧姆上溅射一层阻挡金属，高温处理后与扩散到欧姆接触表面的C结合...
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