技术编号:7050799
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了,属于发光二极管领域。所述外延片包括缓冲层、3D生长层、2D填平层、N型层、多量子阱和P型层,所述2D填平层包括若干个交替生长的第一子层和第二子层,其中一个所述第一子层与所述3D生长层直接接触,所述第一子层的数量不小于2且与所述第二子层的数量相同,所述第一子层采用无掺杂的AlxGa1-xN制成,所述第二子层采用无掺杂的GaN制成,0.5≤x<1。所述方法包括提供衬底并在衬底上依次生长缓冲层、3D生长层、2D填平层、N型层、多量子阱层和P型层,生...
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