技术编号:7050990
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了包括HEMT和Si肖特基二极管的、具有超过300V的击穿电压的级联二极管的一个实施例。HEMT包括栅极、漏极、源极和二维电子气沟道区,该二维电子气沟道区连接源极和漏极并且由栅极控制。HEMT具有超过300V的击穿电压。Si肖特基二极管与HEMT单片集成。Si肖特基二极管包括连接至HEMT的源极的阴极、以及连接至HEMT的栅极的阳极。Si肖特基二极管具有低于300V的击穿电压和低于或等于0.4V的正向电压。Si肖特基二极管的阳极形成级联二极管的阳...
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