一种用于提高外延质量的图形化衬底的制备方法技术资料下载

技术编号:7050994

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本发明提出。该方法主要包括以下步骤1)在抛光后的Al2O3衬底表面使用磁控溅射手段沉积一层AlN薄膜,作为后续GaN生长的籽晶层;2)在AlN薄膜层上采用PECVD技术生长一层Si02薄膜;3)光刻得到柱型光刻胶掩膜;4)对Si02薄膜进行湿法腐蚀形成图形阵列,直至腐蚀部位露出AlN表层;5)剥除光刻胶,最终得到AlN籽晶层上具有Si02图形阵列的Al2O3衬底;6)清洗样片后直接生长GaN外延层。这样,一方面通过异质外延使GaN生长时产生横向生长,另一方...
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