技术编号:7050994
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提出。该方法主要包括以下步骤1)在抛光后的Al2O3衬底表面使用磁控溅射手段沉积一层AlN薄膜,作为后续GaN生长的籽晶层;2)在AlN薄膜层上采用PECVD技术生长一层Si02薄膜;3)光刻得到柱型光刻胶掩膜;4)对Si02薄膜进行湿法腐蚀形成图形阵列,直至腐蚀部位露出AlN表层;5)剥除光刻胶,最终得到AlN籽晶层上具有Si02图形阵列的Al2O3衬底;6)清洗样片后直接生长GaN外延层。这样,一方面通过异质外延使GaN生长时产生横向生长,另一方...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。