技术编号:7051093
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种电阻式存储装置包括第一电极,形成在半导体衬底上;绝缘层,形成在所述第一电极上并且包括暴露出所述第一电极的上表面的孔;数据储存单元,其中第一电阻可变材料和第二电阻可变材料在孔中交替地形成至少一次;以及第二电极,形成在所述数据储存单元上。专利说明[0001]相关申请的交叉引用[0002]本申请要求2013年9月30日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2013-0116400的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过弓丨用合并于此。 [0003]本发明的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。