技术编号:7051168
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种高边横向双扩散场效应晶体管,包括P型衬底,N-外延层,P+埋层,P+对通隔离,场氧,P-top层,P-体区,P-体区接触P+,N+源电极,栅氧层,多晶硅栅电极,N+漏电极。所述P型衬底的上面是N-外延层。所述N-外延层的一侧设有P+埋层和P+对通隔离,用以隔离不同类型的器件。进一步,P-体区和P+对通隔离之间设有另一个P-体区,P-体区内设有体区接触P+。P-体区和P-体区之间设有P-top层。本发明源电极和衬底之间的雪崩击穿电压大大提高,...
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