技术编号:7051206
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请案涉及一种。一种半导体装置(400)包含形成于非绝缘衬底(402)上的双向GaN FET(406)。所述半导体装置进一步包含连接于所述衬底与所述双向GaN FET的第一源极/漏极节点(416)之间的第一电箝位部(420)及连接于所述衬底与所述双向GaN FET的第二源极/漏极节点(418)之间的第二电箝位部(422)。所述第一箝位部及所述第二箝位部经配置以在相关箝位部的偏移电压内将所述衬底偏置于到所述第一源极/漏极节点的所施加偏置及到所述第二源极/漏...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。