技术编号：7051306
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种，包括提供半导体衬底；在半导体衬底的上表面和侧面涂布底部抗反射层；利用干法刻蚀工艺，去除位于所述侧面的底部抗反射层；在保留于半导体衬底上表面上的底部抗反射层上依次形成光刻胶层和顶部涂层。本发明消除了半导体衬底边缘处的底部抗反射层的堆叠，改善了半导体衬底的边缘的底部抗反射层的形貌，避免了对后续步骤产生影响，提高了半导体器件的良率。专利说明[0001]本发明涉及半导体，尤其涉及一种。背景技术[0002]浸没式光刻技术提供了 45nm及以下先进制程...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。