技术编号：7051358
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的各个方面提出了一种肖特基结构，其中两个沟槽形成在半导体材料中。沟槽通过台面结构相互间隔开。每个沟槽都有第一和第二导电部分，内衬第一和第二侧壁。第一和第二部分导电材料在每个沟槽中相互电绝缘。肖特基接头形成在最外面的导电部分之间的任意位置。肖特基结构形成在器件晶片的有源区或端接区中。要强调的是，本摘要必须使研究人员或其他读者快速掌握技术说明书的主旨内容，本摘要符合以上要求。应明确，本摘要将不用于解释或局限权利要求书的范围或意图。专利说明带有集成肖特基二...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。