技术编号:7051533
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造,特别涉及。背景技术近年来,随着半导体技术的发展,把不同种类的异质材料集成到一个衬底上越来越引起关注,功率半导体器件,光电器件,高速逻辑器件等不同的应用往往需要不同的半导体材料,如功率半导体器件从击穿电压角度考虑需要大禁带宽度的SiC,GaN材料,光电器件则需要直接禁带半导体的GaAs,GaN等材料,高速逻辑器件则需要用到SiGe等半导体材料,为了能在一个芯片上实现更复杂的功能就需要在同一个衬底上得到高质量的异质半导体材料,而这些材料在...
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