技术编号：7051833
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。，包括如下步骤(1)制备石墨烯的生长基底；(2)生长石墨烯；在步骤(1)制备的石墨烯的生长基底之上采用化学气相沉积方法生长石墨烯；任选进行(3)石墨烯的转移和图形化；(4)制备碳纳米管生长催化剂；(5)生长碳纳米管。本发明的制备方法成本低廉，适合大规模生产使用，得到一种原位生长的石墨烯和碳纳米管三维结构，且生长位置和生长图形可以预先设计，适合光电器件的集成和三维设计。专利说明[0001]本发明涉及，特别涉及一种采用化学气相沉积方法制备石墨烯和碳纳米管三维结...
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