技术编号:7051974
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。提供一种用于蚀刻蚀刻层的方法,该蚀刻层位于衬底上方且在反射涂覆(ARC)层和具有掩模特征的图案化有机掩模下。将该衬底放在处理室中。打开该ARC层。形成氧化物垫片沉积层。部分除去该有机掩模上的该氧化物垫片沉积层,其中该氧化物垫片沉积层的至少该顶部部分被除去。通过蚀刻除去该有机掩模和该ARC层。穿过该氧化物垫片沉积层的该侧壁蚀刻该蚀刻层。从该处理室除去该衬底。专利说明使用氧化物垫片减小节距[0001]本申请是申请号为200880115933.8、申请日为200...
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