技术编号:7052006
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。提供了一种。该磁性存储装置可以包括自由磁性结构,隧道势垒层和钉扎磁性结构,其中,隧道势垒层位于自由磁性结构和钉扎磁性结构之间。钉扎磁性结构可以包括第一钉扎层和第二钉扎层以及位于第一钉扎层和第二钉扎层之间的交换耦合层。第二钉扎层可以位于第一钉扎层和隧道势垒层之间,第二钉扎层可以包括结磁性层以及位于结磁性层和交换耦合层之间的缓冲层。缓冲层可以包括包含非磁性金属元素的材料的层。专利说明[0001] 本专利申请要求于2013年7月3日在韩国知识产权局提交的第10-...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。