技术编号:7052009
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供,该外延片制备方法包括以下步骤1)对衬底进行热处理;2)在经过热处理的衬底上,由下至上依次生长低温缓冲层、氮化镓基板层、N型氮化镓层、多量子阱有源区、低温P型层、高温P型层;3)其中在氮化镓基板层、N型氮化镓层、低温P型层与高温P型层的生长过程中,采用短时间内关闭镓源通入铝源方式生长AlxGa1~xN层,通过控制铝源通入频次、氨气是否通入及铝源通入量可以有效的释放外延片生长过程中积聚的应力;在低温P型层中形成电子阻挡层,阻挡电子过冲至P型区;并在...
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