技术编号：7052271
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及及其制得产品，本发明采用磁控溅射方法，利用Li原子的高温易挥发特性，通过控制溅射沉积时高低温衬底温度实现调制掺杂，解决ZnO透明导电膜可见-红外光波段光透过率和导电性相制约问题；通过对ZnOLi薄膜层的氢化，生长ZnOLi-H过渡疏松层，出现（1000）偶极面，吸附氧，上移真空能级，解决ZnOX-H与电池窗口层之间势垒过高问题；通过氢等离子体刻蚀和溅射粒子轰击过渡疏松层表面，直接生长陨石坑绒面。该ZnOLi透明导电薄膜，在480nm-2300nm...
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