技术编号：7052302
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种，其特征在于结构上由双层底充胶填充，第一层在芯片端，在圆片上采用旋涂工艺制作；第二层在基板端，在倒装焊完成以后通过毛细效应进行填充；第一层底充胶的玻璃化温度和杨氏模量较低第二层底充胶的玻璃化温度和杨氏模量；(2)芯片与基板的连接是由铜凸点和含锡焊料凸点两部分构成，实现高密度连接；(3)铜凸点分两次制作，以保证第一层底充胶的完全填充和确保凸点与含锡焊料的足够接触。提供的整个工艺过程与现有IC工艺兼容，有较高的垂直互连密度、较好的电气连接特性、较...
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