技术编号：7053497
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种制造半导体器件的新方法和半导体器件。半导体器件包括衬底、沟槽电容器、接触焊盘、层间介电(ILD)层和接触元件。沟槽电容器包括掺杂区、第一介电层、底电极、第二介电层和顶电极，其中，接触焊盘位于掺杂区上。ILD层具有接触窗口和设置在其中的接触元件。由于存在位于掺杂区上的接触焊盘，因此增加了顶电极上方的ILD层的厚度，但是仍然满足对蚀刻ILD层的接触窗口的最大深度限制的需求。专利说明半导体器件的制造方法和半导体器件 [0001]本发明涉及半...
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