技术编号：7053588
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了，包括在重掺杂衬底上生长反型轻掺杂外延层的工艺方法。本发明通过采用在衬底加工阶段，外延生长前制作自补偿背封层的手段，提供一种在重掺杂衬底上批量生长具有相反导电类型的轻掺杂外延的方法，以解决背面自掺杂效应和边缘效应引起轻掺杂外延气氛反型，从而导致片内边缘或整片生长成同型外延的问题。采用本发明的自补偿背封工艺，即使是用常压外延炉满炉生长，仍能保证外延参数满足产品要求。专利说明 [0001] 本发明涉及半导体微电子，具体地说，本发明涉及硅基半导...
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