技术编号:7053776
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及太阳能电池的制造方法及太阳能电池的制造装置。 背景技术例如在结晶硅系的太阳能电池中,在作为光吸收层的硅层中形成有pn结,在该硅层的表面,形成有用于保护器件或用于防止已经入射到光吸收层的光向外部反射的钝化膜。以往,通过使硅层的表面热氧化来形成钝化膜。但是,当这样以高温对硅层的表面进行了热氧化时,在以热氧化形成的钝化膜和基底的硅层之间的界面中产生大量的空孔缺陷等缺陷。为此,这些缺陷成为电子等载流子的再结合中心,从而载流子通过再结合而消失,最终使形成的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。