技术编号:7053845
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种信息传感及存储器件,它为双磁隧道结结构,由下至上依次为底电极、磁隧道结1、非铁磁性金属隔离层、磁隧道结2及顶电极,金属导线位于器件一侧;一种信息传感及存储器件的制备方法,它有五大步骤步骤一,在衬底上沉积磁性多层膜材料;步骤二,通过超高磁场真空退火设备进行退火,使参考层的磁化方向固定;步骤三,使用光刻、刻蚀及磁控溅射传统纳米器件加工工艺完成双磁隧道结结构的形态制备;步骤四,在双磁隧道结结构外侧沉积绝缘层,通过光刻、刻蚀及镶嵌等工艺在双磁隧道结结构附近配置...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。