技术编号：7053870
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明为，涉及半导体器件制备。本发明包括步骤清洁SiC衬底表面，以激光在高真空、惰性气体或惰性液体保护氛围中，从衬底正面进行辐照或从衬底背面进行辐照，在SiC表面制备接触层，得到欧姆接触。本发明利用衬底SiC与激光相互作用后性能的改变，使电极材料沉积在衬底表面之后无需进一步热处理就可直接得到欧姆接触，简化了工艺流程，避免了热处理过程对接触层性能的影响，为提高以SiC为衬底的半导体器件的质量提供技术支持。专利说明 [0001]本发明涉及半导体器件制备，...
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