技术编号:7053940
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电荷补偿半导体器件,具体而言描述了一种场效应半导体器件,包括具有第一表面和边缘、有源区、和布置于所述有源区与所述边缘之间的外围区的半导体主体,所述第一表面上的源极金属化部,以及漏极金属化部。在所述有源区中,第一导电类型的漂移部分与第二导电类型的补偿区交替。漂移部分与漏极金属化部接触,并且具有第一最大掺杂浓度。所述补偿区与所述源极金属化部欧姆接触。所述外围区包括第一边缘终止区和第二半导体区,所述第二半导体区与所述漂移部分欧姆接触,具有比所述第一最大...
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