技术编号:7053963
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种布拉格反射波导GaSb基半导体激光器,该激光器由下至上依次包括n面电极、GaSb衬底、下限制层、下波导层、第一中心腔、第二中心腔、上波导层、上限制层、盖层和p面电极,第一中心腔和第二中心腔内设有有源层;下波导层包括多对n型掺杂的高、低折射率材料层周期交替生长的布拉格反射镜;上波导层包括多对p型掺杂的高、低折射率材料层周期交替生长的布拉格反射镜。本发明利用布拉格反射波导限制光场分布,可有效改善传统GaSb基边发射半导体激光器端面灾变性毁坏、烧空...
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