技术编号:7054081
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开一种低功耗沟槽式肖特基整流器件,位于所述衬底层上方设有轻掺杂第一导电类型的外延层,位于所述外延层上方设有上金属层,一沟槽从所述外延层上表面并延伸至外延层中部,一栅沟槽位于所述沟槽内,一导电多晶硅体嵌入所述栅沟槽内,位于导电多晶硅体中下部的多晶硅中下部位于栅沟槽内且与外延层之间设有第一二氧化硅氧化层;位于所述外延层内并在沟槽四周侧表面具有第二导电类型掺杂区,此第二导电类型掺杂区顶部与外延层上表面之间具有重掺杂第二导电类型掺杂区。本发明改善了器件的可...
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