技术编号：7054082
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开一种沟槽式肖特基半导体器件，其导电多晶硅体嵌入所述栅沟槽内，位于导电多晶硅体中下部的多晶硅中下部位于栅沟槽内且与外延层之间设有第一二氧化硅氧化层；位于所述单晶硅凸台内并在沟槽四周侧表面具有第二导电类型掺杂区，此第二导电类型掺杂区顶部与外延层上表面之间具有重掺杂第二导电类型掺杂区，相邻肖特基势垒二极管单胞各自的第二导电类型掺杂区之间且位于具有第一导电类型的外延分层，此外延分层深度小于所述第二导电类型掺杂区深度，此外延分层位于外延层上部且外延分层的掺...
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