技术编号:7054333
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提出了一种改善LED效率下降的外延结构,包括衬底和依次堆叠在衬底上的GaN底层、超晶格应力释放层、多量子阱层、P型InGaN插入层、P型电子阻挡层以及P型GaN层。在多量子阱层最后一个势垒和P型电子阻挡层之间插入一层P型InGaN插入层,P型InGaN插入层的In组分从靠近多量子阱层到电子阻挡层由小到大渐变,且采用脉冲式的镁掺杂。本发明一方面可以减少电子向P端的泄露,另一方面可以增强空穴向有源区的注入。本发明可以改善GaN基LED效率下降的问题,提高...
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