技术编号:7054347
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了利用同型结监控P型轻掺杂离子注入对准度的结构及方法,该监控结构包括光阻区和P型轻掺杂离子注入区,P型轻掺杂离子注入区包括P型阱、P型轻掺杂离子阱、栅极、介质层以及对应于P型轻掺杂离子阱的接触孔;光阻区包括P型阱、栅极、介质层,以及对应于P型阱的接触孔;对P型轻掺杂离子注入区注入P型轻掺杂离子;经负电势电子束扫描得到电压衬度影像中,根据发生变化的接触孔即可监控光阻区的对准度,从而实现对CMOS中P型轻掺杂离子注入对准度的实时监控,避免P型轻掺杂离...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。