技术编号:7054350
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了CMOS中N型源漏离子注入对准度的监控结构及方法,该监控结构包括光阻区和N型源漏离子注入区,N型源漏离子注入区由N型阱-N型源漏极结构构成,包括N型阱、N型源漏极、栅极、介质层以及对应于N型源漏极的接触孔;光阻区由N型阱-P型源漏极结构构成,包括N型阱、P型源漏极、栅极、介质层,以及对应于P型源漏极的接触孔;对N型源漏注入区和光阻区分别注入N型源漏和P型源漏;经负电势电子束扫描得到电压衬度影像中,根据发生变化的接触孔即可监控光阻区的对准度,从而...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。