技术编号:7054354
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种自对准STI的形成方法,在传统工艺生长浅沟槽侧壁氧化层之后,再生长一层浅沟槽侧壁氮化硅层,随后对浅沟槽填充,并退火。本发明通过在浅沟槽侧壁增加生成一层结构更加致密、稳定的氮化硅层,可以有效阻止水汽或氧气分子的扩散,使得后续工艺退火时,水汽被致密的氮化硅层所阻止,避免水汽与硅衬底以及多晶硅浮栅反应生成二氧化硅,从而确保隧穿氧化硅层边缘厚度不再变厚,保证了产品的质量和可靠性。专利说明自对准ST I的形成方法 [0001] 本发明涉及半导体...
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