技术编号:7054360
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了,该监控结构包括光阻区和N型轻掺杂离子注入区,N型轻掺杂离子注入区由N型阱-N型轻掺杂离子阱结构构成,包括N型阱、N型轻掺杂离子阱、栅极、介质层以及对应于N型轻掺杂离子阱的接触孔;光阻区由N型阱-P型轻掺杂离子阱结构构成,包括N型阱、P型轻掺杂离子阱、栅极、介质层,以及对应于P型轻掺杂离子阱的接触孔;经负电势电子束扫描,利用同型结和异型结对应的接触孔显示的亮度不同,前者显示暗孔,后者显示亮孔,根据发生亮度变化的接触孔即可监控光阻区的对准度,从而...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。