技术编号:7055061
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请公开了P型LED外延结构、生长方法及LED显示装置,P型LED外延结构,所述结构自下而上包含蓝宝石衬底、低温氮化镓缓冲层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、第一势垒层、浅量子阱层、多量子阱层、电子阻挡层、高掺杂P型氮化镓层以及接触层,高掺杂P型氮化镓接触层进一步包含第一P型氮化镓层和第二P型氮化镓层,且所述第一P型氮化镓层和所述第二P型氮化镓层分别采用不同的载气来生长。本发明可获得不同结晶质量的P-GaN,其增强了电子限制能力,增强空穴注入,减缓电子注入...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。