技术编号:7055153
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请公开了,该发光二极管的外延片包括掺杂Si的GaN层;组分恒定发光层,位于所述掺杂Si的GaN层之上;组分渐变发光层,位于所述组分恒定发光层之上;以及P型AlGaN层,位于所述组分渐变发光层之上;其中,所述组分渐变发光层包括GaN层和掺杂In的InGaN层,每个周期的所述InGaN层的In掺杂浓度不同。本申请相比现有技术,可调整发光层的电子填充状态的分布,调节发光层的能带,从而提高空穴和电子的复合效率。专利说明 [0001] 本申请涉及发光二极管...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。