技术编号:7055156
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。该薄膜晶体管的制备方法包括在衬底基板上形成栅极、栅绝缘层、有源区、源极和漏极,有源区采用ZnON材料形成,在形成栅绝缘层的同时对形成栅绝缘层的材料进行控制处理,使薄膜晶体管工作时,栅绝缘层能持续地向有源区中补充氮元素,以使薄膜晶体管的亚阈值摆幅≤0.5mV/dec。该制备方法使栅绝缘层中的氮元素含量大大提高,由此使得在薄膜晶体管工作时,栅绝缘层能持续地向有源区中补充氮元素,从而大大提高了有源区中氮空...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。