技术编号:7055159
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种抑制半导体器件形成工序中的热处理时的滑移位错的产生,且减少器件形成区域的COP、氧析出核等晶体缺陷,并且主体部的氧析出核在面内径向被均匀控制的。对从利用切克劳斯基法培养的硅单晶锭切片得到的晶片实施在含氧气氛中、最高到达温度1300~1380℃的范围内保持3~60秒的迅速升降温热处理后,将晶片的器件形成面(1)除去利用下述式(1)~(3)算出的X的值以上。X[μm]=a[μm]+b[μm]…(1);a[μm]=(0.0031×最高到达温度[℃]...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。