技术编号:7055273
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。。本发明涉及半导体装置,该半导体装置具有具有第一表面的半导体本体;第一沟槽中的IGFET的具有多晶硅的栅电极结构,所述第一沟槽从所述第一表面延伸到所述半导体本体中;以及第二沟槽中的与IGFET的栅电极结构不同并且具有多晶硅的半导体元件,所述第二沟槽从所述第一表面延伸到所述半导体本体中;其中IGFET和与该IGFET不同的半导体元件的多晶硅终结于与所述半导体本体的第一表面邻接的绝缘层的上侧之下。专利说明 [0001]本发明涉及。 背景技术 [000...
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