技术编号：7055404
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供，所述方法包括提供两片需要进行键合的硅片，每片所述硅片的键合界面上既包含金属又包含绝缘物；将所述两片硅片的键合界面对准后对该两片硅片进行键合工艺和热退火工艺；其中，在进行所述键合工艺和热退火工艺的过程中，将环境温度控制在200℃以上，同时在两片硅片上各施加一大小相等方向相反并均指向所述键合界面的压力，所述压力为1000牛以上。通过本发明方法可以减小键合界面的变形程度，使晶圆在键合界面上的平整度得以提高，有效避免了界面错位情况的发生，提高了混合键合...
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