技术编号:7055444
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种,包括第一步骤,利用有源区光罩对氧化层和氮化硅层刻蚀,形成浅沟道隔离;第二步骤,对浅沟道底部和侧壁进行氧化以形成浅沟道氧化层;第三步骤,对浅沟道填充介质并对填充的介质进行平坦化处理;第四步骤,用于去除氧化层和氮化硅层;第五步骤,用于对衬底进行第一次氧化以形成第一氧化层;第六步骤,用于完全去除第一氧化层;第七步骤,用于对衬底进行第二次氧化以形成作为栅极氧化层的第二氧化层;第八步骤,用于在第二氧化层上进行多晶硅淀积以形成悬浮栅层。专利说明 ...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。