技术编号:7055455
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提出了一种易封装高压倒装LED芯片及其制作方法,形成的互连金属将第一子芯片、第二子芯片和第三子芯片的N型氮化镓层和P型氮化镓层依次串联起来,再形成第二隔离层进行隔离,在第二隔离层上形成N电极和P电极,N电极和P电极分别与暴露出的N型氮化镓层和P型氮化镓层相连,由于第二隔离层覆盖整个高压倒装LED芯片,形成N电极和P电极也可以覆盖整个第二隔离层,因此可以获得较大尺寸的N电极和P电极,相应的,在底座上可以形成较大的焊点与N电极和P电极对应,在进行封装时能...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。