技术编号:7055509
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。杂质分凝肖特基源漏器件,包括一个垂直方向的环状半导体沟道,一个环状栅电极,一个环状栅介质层,一个源区,一个杂质分凝区,一个漏区,一个杂质分凝区,一个半导体衬底;源区位于垂直沟道的底部,与衬底相接;杂质分凝区介于源区与垂直沟道之间;漏区位于垂直沟道的顶部;杂质分凝区介于漏区与垂直沟道之间;栅介质层和栅电极呈环状围绕住垂直沟道;源区和漏区分别与沟道形成相同势垒高度的肖特基接触;源端和漏端杂质分凝区为同种杂质高掺杂区域。该结构利用肖特基势垒源漏结构降低了热预算、...
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