技术编号:7055531
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。公开了一种制造CMOS结构的方法,包括在半导体衬底中形成浅沟槽隔离,分别限定用于第一类型的第一和第二MOSFET的第一区域以及用于第二类型的第三和第四MOSFET的第二区域;在第一区域上方形成第一和第二栅叠层;在第二区域上方形成第三和第四栅叠层;分别为第一至第四MOSFET形成轻掺杂漏区;在第一至第二四栅叠层的侧壁上形成栅极侧墙;形成第一类型的源/漏区;以及形成第二类型的源/漏区;其中,第一至第四掩模分别暴露第一至第四MOSFET的有源区,并且遮挡其他区域...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。