技术编号:7055600
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种RF-LDMOS自对准的漏端场板结构,包括电极层(1)、衬底(2)、外延层(3)、源极-衬底连接层(4)、漂移区(5)、固定电位区(7)、源极(8)、沟道(9)、漏极(15)、绝缘层(10)、栅极(20)、栅极金属硅化物(21)、源极-沟道连接区(22),还包括SiO2层(23)、非晶硅(12)和金属硅化物(17);非晶硅(12)包括横向延伸结构和纵向延伸结构,纵向延伸结构与漂移区(5)相接触,横向延伸结构设置在SiO2层(23)上;金属硅...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。