技术编号:7055722
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种利用四甲基氢氧化铵溶液的太阳能电池背面抛光工艺,其包括如下步骤a、提供所需的晶硅电池片,所述晶硅电池片的正面具有阻挡保护层;b、将上述晶硅电池片的背面放置浸泡在四甲基氢氧化铵溶液中,以对晶硅电池片的背面进行所需的去结抛光,并通过阻挡保护层对晶硅电池片的正面进行保护;四甲基氢氧化铵溶液的浓度为2%~5%,温度为68℃~72℃,晶硅电池片浸泡在四甲基氢氧化铵溶液的时间为180s~250s;c、利用等离子水对晶硅电池片进行清洗。本发明工艺步骤简单,...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。