技术编号:7055980
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及采用化合物半导体的场效应晶体管、半导体开关电路和通信设备。背景技术在相关技术中,在诸如移动电话等的通信设备中,FET(场效应晶体管)用作构成半导体开关的开关元件,从而切換例如高频信号传送到天线和从天线接收高频信号的通道。作为用于高频信号中的FET,采用诸如GaAs(神化镓)的化合物半导体的FET等是众所周知的。FET的示例有HEMT (高电子迁移率晶体管)和PHEMT (赝HEMT)等,PHEMT为HEMT的变型示例且通过外延结构等允许晶格失配至...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。