技术编号:7056488
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了,包括以下步骤①在Al2O3基片上溅射沉积NiCr薄膜;②光刻,形成所需要的图形;③将步骤②所得的Al2O3基片通过专用夹具放入离子束刻蚀机中,用Ar气进行离子束刻蚀;将步骤③所得的Al2O3基片进行湿法去胶,去除残余光刻胶。本发明解决了NiCr薄膜难以采用光刻胶作为掩膜进行4μm NiCr薄膜干法图形化的问题,且工艺简单,容易操作,重复性好,适合用于大规模生产。专利说明一种用于4um NiCr合金薄膜的离子束干法刻蚀方法 [0001] ...
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