技术编号：7056596
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种多光子多层量子剪裁锗或硅锗太阳能电池，包括锗基片，位于锗基片上的锗或硅锗太阳能电池，以及位于锗或硅锗太阳能电池受光表面侧的选自吸收波长在280nm至385nm范围内的紫外光并且发出四倍的红外光子的第一量子剪裁层；吸收波长在370nm至525nm范围内的紫外-蓝光并且发出三倍的红外光子的第二量子剪裁层；和吸收波长在480nm至820nm范围内的蓝绿光-橙红光并且发出二倍的红外光子的第三量子剪裁层中的至少两层量子剪裁层。本发明利用多光子红外量子剪...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。