技术编号:7056693
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,属于半导体。解决现有“侧向外延法”工艺复杂、环境要求苛刻、需要二次外延、成本昂贵且不利于大规模生产的技术问题。本方法包括(1)选取衬底材料;(2)利用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)直接生长外延材料;所述衬底材料与外延材料之间的晶格失配度为0.5%~10%。本方法能够一次性生长出低位错密度的高质量氮化物,具有工艺简单、生长周期短、材料质量好等优点,是实现氮化物材料高质量、低成本生长的有效手段,为实现高性能氮化物光电子器件和微电子器件奠定了...
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