技术编号：7056734
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例提供一种P型层粗化的发光二极管LED生长方法，该方法包括温度为520～560℃时，在衬底上通入金属源，金属源跟氨气发生反应形成缓冲层；温度升高至800～1000℃时，缓冲层形成一非掺杂层；温度升高至1000～1100℃时，在非掺杂层表面生长一层N型掺杂层；在N型掺杂层表面生长一量子阱层；在量子阱层表面生长一P型掺杂层；降低温度至500～700℃，在P型掺杂层表面通入金属源，形成金属源薄层；温度升高至700～800℃，金属源薄层分解形成金属小球，...
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